文章最后更新时间：2022-12-22 23:11:32，由管理员负责审核发布，若内容或图片失效，请留言反馈！
单条96GB的DDR5内存条：
SK海力士刚刚宣布量产采用1α nm工艺的DDR5内存，每个芯片的存储容量为24Gb，是当前业界存储密度最高的DDR5内存芯片。
1α nm是进入10nm级后的第四个工艺节点：之前三个节点的名称为1x、1y、1z。在1z nm之后按希腊字母α、β、γ等延续，对应不同的工艺改进，这次SK海力士的1α nm使用了EUV光刻。下图为美光的技术路线图。
SK海力士24Gb DDR5芯片的最直接作用是推动内存容量增长，相比1y nm工艺的16Gb芯片，存储容量提高50%、性能提高33%、功耗降低25%。24Gb DDR5芯片将首先用于制造服务器上使用的48GB和96GB RDIMM内存条。
150度下保存10年的7bpc闪存：
日本Floadia宣布已开发出一种每单元可存储7比特数据、150度条件下可保存十年的新型闪存。相比之下，普通3D NAND闪存每个存储单元可保存3比特（TLC）或4比特（QLC）数据，工作温度在70度以内。
当然，也不要被表面参数所迷惑，Floadia的新产品并不是面向SSD或家用数码产品使用，而是针对嵌入式存储应用，如边缘计算环境下AI加速器的CiM内存计算。Floadia自己并不制造闪存，而是将开发出的技术授权给需要的厂商，
在存储容量上，专为微控制器设计的Sonos闪存没有任何优势，但每单元可存储7比特数据并在高温下保存10年的表现依然非常有特色。Floadia进行了多项创新将7bpc Sonos闪存的数据保持时间从100秒延长到10年，无疑是一项非常显著的成就。
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